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 LED技術(shù)已經(jīng)發(fā)展了近三十年，最初只是作為一種新型固態(tài)照明光源，之后雖應用于顯示領(lǐng)域，卻依然只是幕后英雄——背光模組。如今，LED逐漸從幕后走向臺前，迎來最蓬勃發(fā)展的時期。如今它已多次出現(xiàn)在各種重要場合，在顯示領(lǐng)域扮演著越來越重要的角色。

▲圖1 LED在 ①鳥巢 ②水立方 ③上海世博會上的應用

LED之所以能夠成為當前的關(guān)注焦點，主要歸功于它許多得天獨厚的優(yōu)點。它不僅能夠自發(fā)光，尺寸小，重量輕，亮度高，更有著壽命更長，功耗更低，響應時間更快，及可控性更強的優(yōu)點。這使得LED有著更廣闊的應用范圍，并由此誕生出更高科技的產(chǎn)品。

▲圖2 LED 大尺寸顯示屏（分辨率較低）

▲圖3 8×8 LED陣列與micro-LED陣列的對比

如今，LED大尺寸顯示屏已經(jīng)投入應用于一些廣告或者裝飾墻等。然而其像素尺寸都很大，這直接影響了顯示圖像的細膩程度，當觀看距離稍近時其顯示效果差強人意。此時，micro-LED display 應運而生，它不僅有著LED的所有優(yōu)勢，還有著明顯的高分辨率及便攜性等特點。

當前micro-LED display的發(fā)展主要有兩種趨勢。一個是索尼公司的主攻方向——小間距大尺寸高分辨率的室內(nèi)/外顯示屏。另一種則是蘋果公司正在推出的可穿戴設備（如 Apple Watch），該類設備的顯示部分要求分辨率高、便攜性強、功耗低亮度高，而這些正是micro-LED的優(yōu)勢所在。

Micro-LED display 已經(jīng)發(fā)展了十數(shù)年，期間世界上多個項目組發(fā)布成果并促進著相關(guān)技術(shù)進一步發(fā)展。例如，2001年日本Satoshi Takano團隊公布了他們的研究的一組micro-LED陣列。

該陣列采用無源驅(qū)動方式，且使用打線連接像素與驅(qū)動電路，并將紅綠藍三個LED芯片放置在同一個硅反射器上，通過RGB的方式實現(xiàn)彩色化。該陣列雖初見成效，但也有著不容忽視的缺點，其分辨率與可靠性都還很低，不同LED的正向?qū)妷翰顒e比較大。

同年，H. X. Jiang團隊也同樣做出了一個無源矩驅(qū)動的10×10 micro-LED array。這個陣列創(chuàng)新性的使用四個公共n電極和100個獨立p電極。并采用復雜的版圖設計以盡量最優(yōu)化連線布局。雖然顯示效果有一定的進步，但沒有解決集成能力低的問題。

▲圖4 H. X. Jiang團隊的10×10 陣列連線布局

另一個比較突出的成果是在2006年由香港科技大學團隊公布的。同樣采用無源驅(qū)動，使用倒裝焊技術(shù)集成Micro-LED 陣列[3]。但是同一行像素的正向?qū)妷阂膊顒e比較大，而且當該列亮起的像素數(shù)目不同時，像素的亮度也會受到影響，亮度的均勻性還不夠好。

▲圖5 香港科技大學團隊成果展示

2008年，Z. Y. Fan團隊公布另一個無源驅(qū)動的120×120的微陣列，其芯片尺寸為3.2mm×3.2mm，像素尺寸為20×12μm，像素間隔為22μm。尺寸方面已經(jīng)明顯得到優(yōu)化，但是，依然需要大量的打線，版圖布局仍然十分復雜。

而同年Z. Gong團隊公布的微陣列，依然采用無源矩陣驅(qū)動，并使用倒裝焊技術(shù)集成。該團隊做出了藍光（470nm）micro-LED陣列和UV micro-LED（370nm）陣列，并成功通過UV LED陣列激發(fā)了綠光和紅光量子點證明了量子點彩色化方式的可行性。

▲圖6 UV micro-LED 陣列

▲ 圖7 Micro-LED 陣列與Si-CMOS的集成

此外，在該年，B. R. Rae 團隊成功集成了 Si-CMOS 電路，該電路可為UV LED提供合適的電脈沖信號，并集成了SPAS （single photo avalanche diode ）探測器，主要應用于在便攜式熒光壽命讀寫器。然而其驅(qū)動能力比較弱，且工作電壓很高。

2009年，香港科技大學Z. J. Liu所在團隊利用UV micro-LED陣列激發(fā)紅綠藍三色熒光粉，得到了全彩色的微LED顯示芯片。2010年該團隊分別利用紅綠藍三種LED外延片制備出360 PPI的微LED顯示芯片[8]，并把三個芯片集成在一起實現(xiàn)了世界上首個去背光源化的全彩色微LED投影機。

  ▲圖8 世界上首個去背光源的全彩色micro-LED投影機

之后，Z. J. Liu所在的香港科技大學團隊與中山大學團隊合力將微LED顯示的分辨率提高到1700 PPI，像素點距縮小到12微米，采用無源選址方式+倒裝焊封裝技術(shù)[10]。與此同時他們還成功制備出分辨率為846 PPI的WQVGA 有源選址微LED顯示芯片，并在該芯片中集成了光通訊功能。

▲圖9 1700 PPI micro-LED微顯示芯片

這些僅是micro-LED發(fā)展歷史中比較重要的一些成果。之后，關(guān)于micro-LED的探索不斷深入，更多的進展不斷被公布，包括進一步減小尺寸，提高亮度的均勻性等，關(guān)于其驅(qū)動方式，制備工藝及彩色化的實現(xiàn)等方面也有著諸多討論，這些將在后續(xù)系列中進行介紹。