|
||||
|
||||
 |
LED正裝芯片是最早出現(xiàn)的芯片結構，也是小功率芯片中普遍使用的芯片結構。該結構，電極在上方，從上至下材料為：P-GaN，發(fā)光層，N-GaN，襯底。所以，相對倒裝來說就是正裝。
為了避免正裝芯片中因電極擠占發(fā)光面積從而影響發(fā)光效率，芯片研發(fā)人員設計了倒裝結構，即把正裝芯片倒置，使發(fā)光層激發(fā)出的光直接從電極的另一面發(fā)出(襯底最終被剝去，芯片材料是透明的)，同時，針對倒裝設計出方便LED封裝廠焊線的結構，從而，整個芯片稱為倒裝芯片(Flip Chip)，該結構在大功率芯片較多用到。
正裝 、倒裝、垂直 LED芯片結構三大流派
倒裝技術并不是一個新的技術，其實很早之前就存在了。倒裝技術不光用在LED行業(yè)，在其他半導體行業(yè)里也有用到。目前LED芯片封裝技術已經形成幾個流派，不同的技術對應不同的應用，都有其獨特之處。
目前LED芯片結構主要有三種流派，最常見的是正裝結構，還有垂直結構和倒裝結構。正裝結構由于p，n電極在LED同一側，容易出現(xiàn)電流擁擠現(xiàn)象，而且熱阻較高，而垂直結構則可以很好的解決這兩個問題，可以達到很高的電流密度和均勻度。未來燈具成本的降低除了材料成本，功率做大減少LED顆數(shù)顯得尤為重要，垂直結構能夠很好的滿足這樣的需求。這也導致垂直結構通常用于大功率LED應用領域，而正裝技術一般應用于中小功率LED。而倒裝技術也可以細分為兩類，一類是在藍寶石芯片基礎上倒裝，藍寶石襯底保留，利于散熱，但是電流密度提升并不明顯;另一類是倒裝結構并剝離了襯底材料，可以大幅度提升電流密度。
LED倒裝芯片的優(yōu)點
一是沒有通過藍寶石散熱，可通大電流使用;二是尺寸可以做到更小，光學更容易匹配;三是散熱功能的提升，使芯片的壽命得到了提升;四是抗靜電能力的提升;五是為后續(xù)封裝工藝發(fā)展打下基礎。
什么是LED倒裝芯片
據(jù)了解，倒裝芯片之所以被稱為“倒裝”是相對于傳統(tǒng)的金屬線鍵合連接方式(Wire Bonding)與植球后的工藝而言的。傳統(tǒng)的通過金屬線鍵合與基板連接的晶片電氣面朝上，而倒裝晶片的電氣面朝下，相當于將前者翻轉過來，故稱其為“倒裝芯片”。
倒裝LED芯片，通過MOCVD技術在藍寶石襯底上生長GaN基LED結構層，由P/N結發(fā)光區(qū)發(fā)出的光透過上面的P型區(qū)射出。由于P型GaN傳導性能不佳，為獲得良好的電流擴展，需要通過蒸鍍技術在P區(qū)表面形成一層Ni- Au組成的金屬電極層。P區(qū)引線通過該層金屬薄膜引出。為獲得好的電流擴展，Ni-Au金屬電極層就不能太薄。為此，器件的發(fā)光效率就會受到很大影響，通常要同時兼顧電流擴展與出光效率二個因素。但無論在什麼情況下，金屬薄膜的存在，總會使透光性能變差。此外，引線焊點的存在也使器件的出光效率受到影響。 采用GaN LED倒裝芯片的結構可以從根本上消除上面的問題。
在倒裝芯片的技術基礎上，有廠家發(fā)展出了LED倒裝無金線芯片級封裝。
什么是LED倒裝無金線芯片級封裝
倒裝無金線芯片級封裝，基于倒裝焊技術，在傳統(tǒng)LED芯片封裝的基礎上，減少了金線封裝工藝，省掉導線架、打線，僅留下芯片搭配熒光粉與封裝膠使用。作為新封裝技術產品，倒裝無金線芯片級光源完全沒有因金線虛焊或接觸不良引起的不亮、閃爍、光衰大等問題。相比于傳統(tǒng)封裝工藝，芯片級光源的封裝密度增加了16倍，封裝體積卻縮小了80%，燈具設計空間更大。倒裝無金線芯片憑借更穩(wěn)定的性能、更好的散熱性、更均勻的光色分布、更小的體積，受到越來越多LED燈具企業(yè)和終端產品應用企業(yè)的青睞。
LED倒裝芯片普及的難點：
1、倒裝LED技術目前在大功率的產品上和集成封裝的優(yōu)勢更大，在中小功率的應用上，成本競爭力還不是很強。
2、倒裝LED顛覆了傳統(tǒng)LED工藝，從芯片一直到封裝，這樣會對設備要求更高，就拿封裝才說，能做倒裝芯片的前端設備成本肯定會增加不少，這就設置了門檻，讓一些企業(yè)根本無法接觸到這個技術。
