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　　硅基氮化鎵生長設(shè)備AIX G5+榮膺MOCVD設(shè)備類最佳效能獎

　　愛思強股份有限公司近日宣布，旗下硅基氮化鎵技術(shù)AIX G5+憑借出色的生產(chǎn)效率和先進的技術(shù)，在2013年6月11日舉行的2013年LEDinside極光獎頒獎典禮上榮獲“MOCVD設(shè)備類最佳效能獎”。早前，該系統(tǒng)剛于今年3月榮獲CS Industry Award獎項。

　　“利用200毫米硅基材生產(chǎn)氮化鎵基LED以降低芯片生產(chǎn)成本，是未來的發(fā)展趨勢�！盇IXTRON愛思強首席技術(shù)官Andreas T?nnis表示，“此次獲獎是AIXTRON愛思強在短短幾個月內(nèi)第二次獲得嘉獎，再次體現(xiàn)了我們與客戶密切合作及高度的研發(fā)創(chuàng)新能力。”

　　憑借AIX G5+技術(shù)，AIXTRON愛思強已為其現(xiàn)有硅基氮化鎵設(shè)備生長設(shè)備AIX G5 HT推出全新的5 x 200毫米技術(shù)套裝，打造了業(yè)內(nèi)最大的200毫米多片晶圓MOCVD反應(yīng)器。美國Transphorm公司等制造商將利用AIXTRON愛思強在硅基氮化鎵方面的先進專長，實現(xiàn)從直徑150毫米晶圓向200毫米晶圓的過渡，充分運用AIX G5+帶來的規(guī)模效益提升其生產(chǎn)效率。

　　G5+反應(yīng)器搭載了多項全新功能，包括經(jīng)改良的溫控技術(shù)、新的進氣口和腔室重置功能，攻克了硅基氮化鎵MOCVD工藝的傳統(tǒng)難題。通過這些全新的功能和專設(shè)的對稱旋轉(zhuǎn)模式，最大地降低了晶圓的翹曲度和消除了所謂的回熔(melt back)效應(yīng)，從而實現(xiàn)最高的工藝穩(wěn)定性和晶圓均勻性。